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ON半导体的碳化硅（SiC）肖特基二极管采用了一种全新的技术，为硅提供了优异的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和优异的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更低的系统尺寸和成本。ON Semiconductor在一系列电流和封装选项中提供650 V和1200 V器件，在下一代电力系统设计的效率和功率密度方面突破了极限<strong>特点：</strong>无反向QRR恢复，无正向恢复，低VF（较低传导损耗），温度范围内的泄漏稳定性，独立于温度的开关特性，较高的浪涌和雪崩容量，正温度系数，较高的工作温度（TJMAX=175ºC），太阳能光伏逆变器（PV），功率因数校正器（PFC），电动/混合动力车辆充电器、不间断电源（UPS）、电信和服务器电源