9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-C10ET07T-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-C10ET07T-M3参考价格$4.26000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-C10ET07T-M3封装/规格：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC。您可以下载VS-C10ET07T-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-10ETF04FPPBF是DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，数据表注释中显示了用于10ETF04FPPABF的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.090478盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-2全包装包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220-2全包，设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，正向电压Vf Max If为1.2V@10A，直流反向电压Vr Max为400V，电流平均整流Io为10A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为100 uA，If正向电流为10 A，最大浪涌电流为160 A，恢复时间为145 ns。
VS-10ETF02STRRPBF是DIODE RECT 200V 10A D2PAK，包括1.2V@10A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为200ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@200V，并且电流平均整流Io为10A。
带有电路图的VS-10ETF04FP-M3，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型的功能，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-220-2全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为200ns，设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有供应商设备包的TO-220FP，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.2V@10A。
