9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4934-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4934-E3/73参考价格0.28000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4934-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL。您可以下载1N4934-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4934是DIODE GEN PURP 100V 1A DO41，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了R0中使用的零件别名，R0提供单位重量功能，例如0.008642盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为300ns，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，Vf正向电压为1.2V，Vr反向电压为100V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为150ns。
1N4933-T是DIODE GEN PURP 50V 1A DO41，包括50 V Vr反向电压，它们设计为在1.2V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，提供1.2 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及DO-41供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为1N49，该设备提供200ns反向恢复时间trr，该设备具有200ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结合范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4934-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL，包括12pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~150°C的工作温度结范围，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳。此外，包装为切割胶带（CT）交替包装，该设备以200ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A。
