9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS2PH10HM3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS2PH10HM3_A/H参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS2PH10HM3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO220AA。您可以下载SS2PH10HM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS2PH10-E3/85A是DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-220AA，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于DO-220A（SMP），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@100V，该器件提供800mV@2A电压正向Vf Max If，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为65pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
SS2PH10HE3/84A是DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO220AA，包括800mV@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该器件也可用作DO-220AA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为65pF@4V，1MHz。
SS2PH10HE3/85A是二极管肖特基100V 2A DO220AA，包括65pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@100V，提供二极管类型功能，如肖特基，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以eSMPR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为800mV@2A。
