9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RFN1L7SDDTE25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RFN1L7SDDTE25参考价格为0.53000美元。Rohm Semiconductor RFN1L7SDDTE25封装/规格：FAST RECOVERY DIODE（AEC-Q101 QU）。您可以下载RFN1L7SD DTE25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RFN10NS6STL带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如LPDS，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.55V@10A，该设备提供600V直流反向电压Vr Max，该设备具有10A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
RFN1L6STE25是DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS，包括1.45V@800MA正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PMDS的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns、，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为800mA。
RFN10TF6S是二极管GEN PURP 600V 10A TO220NFM，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220NFM，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.55V@10A。
RFN10NS3SSTL，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。RFN10NS3SSTL采用SOT-263封装，是IC芯片的一部分。
