1N5819-T

Name: 1N5819-T
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 6958428-1N5819-T
Price: 0.183245 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:二极管种类: 肖特基最大直流反向电压 (Vr): 40伏整流平均值 (Io): 1A 供应商设备包装: DO-41 工作结温: -65摄氏度~125摄氏度
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:2-3 工作日

渠道:

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规格参数

部件状态可供货
二极管种类肖特基
速度快速恢复=＜500ns，＞200毫安（Io）
反向恢复时长 (trr) -
整流平均值 (Io) 1A
最大直流反向电压 (Vr) 40伏
最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 600 mV @ 1 A
反向漏电流 @ 直流反向电压 1 mA@40 V
工作结温 -65摄氏度~125摄氏度
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
电容@Vr、法数 110皮法@4V，1MHz
安装类别通孔
包装/外壳 DO-204AL，DO-41，轴向
供应商设备包装 DO-41
特点 -

1N5819-T 产品详情

二极管公司1N5817-1N5819-T肖特基势垒整流器 优点：

•用于瞬态保护的保护环模具结构
•低功耗、高效率
•高浪涌能力
•高电流能力和低正向压降
•无铅饰面，符合RoHS

特征：

•案例：DO-41
•外壳材料：模制塑料。UL可燃性分类等级94V-0
•极性：阴极带
•标记：型号和日期代码
•湿度敏感度：根据J-STD-020C，1级

典型应用

肖特基二极管用于电压钳位应用。

•低压和高频逆变器
•自由轮
•极性保护应用

特色

极低VF、低存储电荷、多数载流子传导、低功耗/高效率这些都是无铅器件*

1N5819-T 相关器件

型号	制造商	描述	价格
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1N5614JAN	先科电子 (Semtech)	1N5614JAN	¥68.37298
1N5943BRLG	安盛美 (onsemi)	ZEN SUR30 REG 3W 56V	¥0.86915
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1N5635A	微芯 (Microchip)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 10.2伏最大钳位电压: 16.7伏供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）安装类别: 通孔	¥106.03606
1N5555/TR	微芯 (Microchip)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 30.5伏最大钳位电压: 47.5伏供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）安装类别: 通孔	¥113.85839
1N5630A	微芯 (Microchip)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 6.4V 最大钳位电压: 11.3伏供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）安装类别: 通孔	¥126.24375
1N5632A	微芯 (Microchip)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 7.78V 最大钳位电压: 13.4伏供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）安装类别: 通孔	¥126.24375

1N5819-T所属分类：单整流二极管，1N5819-T 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。1N5819-T价格参考￥0.183245，你可以下载 1N5819-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N5819-T规格参数、现货库存、封装信息等信息！