特色
- 小型模具包装。
- 高可靠性。
DAN217FHT146
- 描述:二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 80 V 整流平均值 (Io): 100毫安 反向恢复时长 (trr): 4纳秒 供应商设备包装: SMD3 工作结温: 150摄氏度（最高）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.69387 | 3.69387 |
| 10+ | 2.73781 | 27.37816 |
| 100+ | 1.55215 | 155.21530 |
| 500+ | 1.02776 | 513.88400 |
| 1000+ | 0.78795 | 787.95500 |
| 3000+ | 0.68517 | 2055.53400 |
| 6000+ | 0.61666 | 3699.96600 |
| 15000+ | 0.54814 | 8222.14500 |
| 30000+ | 0.51388 | 15416.52000 |
| 75000+ | 0.46716 | 35037.52500 |
- 库存: 1824
- 单价: ¥3.69388
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.69
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 速度 小信号=＜200毫安（Io），任何速度
- 整流平均值 (Io) 100毫安
- 二极管种类 标准
- 反向恢复时长 (trr) 4纳秒
- 工作结温 150摄氏度（最高）
- 最大直流反向电压 (Vr) 80 V
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.2 V@100 mA
- 供应商设备包装 SMD3
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 100 nA @ 70 V
- 电容@Vr、法数 6V、1MHz时为3.5皮法
- 特点 -
DAN217FHT146 产品详情
DAN217FHT146 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DANCEVM-A | 德州仪器 (Texas) | 采用的IC/零件: AIC3254、AIC3256、TPA6130A2 主要特性: 噪声消除 种类: 音频 功能: 音频处理 | ¥1,809.49371 |
 | DAN235ETL | 罗姆 (Rohm) | 二极管种类: 标准-1对公共阴极 最大反向峰值电压: 35伏 最大功耗: 150 mW 供应商设备包装: EMD3 工作温度: 125摄氏度（TJ） | ¥0.2861 |
 | DAN235UT106 | 罗姆 (Rohm) | 二极管种类: 标准-1对公共阴极 最大反向峰值电压: 35伏 最大功耗: 150 mW 供应商设备包装: UMD3 工作温度: 125摄氏度（TJ） | ¥0.49614 |
 | DAN235FMT106 | 罗姆 (Rohm) | 二极管种类: 标准-1对公共阴极 最大反向峰值电压: 35伏 最大功耗: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | DAN217U | 江苏长电/长晶 (CJ) | 二极管配置：1对串联式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA | ¥0.19524 |
 | DAN217 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 二极管配置：1对串联式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA | ¥0.18342 |
| DAN222 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 二极管配置：1对共阴极 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向恢复时间(trr)：4ns | ¥0.23805 |
| DAN202 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥0.1976 |
| DAN202UFHT106 | 罗姆 (Rohm) | 二极管配置：1对共阴极 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向恢复时间(trr)：4ns | ¥0.25088 |
| DAN202U | 江苏长电/长晶 (CJ) | 二极管配置：1对共阴极 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向恢复时间(trr)：4ns | ¥0.22242 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
