9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWF04S-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWF04S-M3参考价格3.56000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWF04S-M3封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA。您可以下载VS-8EWF04S-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-8EWF02STRPBF是DIODE GEN PURP 8A DPAK，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于8EWF02SRPBF的零件别名，该8EWF02TRPBF提供单位重量功能，例如0.009185盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-252-3、DPAK（2引线+标签）中工作，SC-63封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D-PAK（TO-252AA），该设备采用单双阳极配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，正向电压Vf Max If为1.2V@8A，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为200 A，恢复时间为140 ns。
VS-8EWF02STRR-M3是DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK，包括1.2V@8A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为55ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63包装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该设备为表面安装安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@200V，并且电流平均整流Io为8A。
带有电路图的VS-8EWF02STRRPBF，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在100μa@200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片），SC-63包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为200ns，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有供应商设备包的D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.2V@8A。
