9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的1N5399，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N5399参考价格为0.10800美元。NTE Electronics，Inc 1N5399封装/规格：R-SI 1000V 1.5A。您可以下载1N5398英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5399价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5398G-T是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AC、DO-15、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-15等供应商设备封装功能，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1.5A，该器件提供800V电压直流反向Vr Max，该器件具有1.5A的电流平均整流Io，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N5398S-T是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO41，包括1.1V@1.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
1N5398-T是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15，包括20pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于1.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-15供应商设备包，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1.5A。
