9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S2B-E3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2B-E3/5BT参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S2B-E3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA。您可以下载S2B-E3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如S2B-E3/5BT价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S2B-E3/52T是DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA，包括标准回收整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于S2B-E3/5 BT的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
S2BA-13-F是DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMA，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1.15V@1.5A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了100V中使用的直流反向电压Vr Max，提供1.15 V等正向电压特性，单位重量设计为0.002258盎司，以及SMA供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S2BA，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为50 A，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@100V，电流平均整流Io为1.5A，配置为单一，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
S2BA-13是DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMA，包括20pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的SMA，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A。
