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PMEG1201AESFYL是DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962,包括肖特基整流器产品,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供封装盒功能,如2-XFDFN,技术设计为在Si中工作,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作DSN0603-2供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为2mA@12V,电压正向Vf Max If为200mV@30mA,电压直流反向Vr Max为12V,电流平均整流Io为100mA,反向恢复时间trr为2.2ns,电容Vr F为26pF@1V,1MHz,工作温度结范围为125°C(最大值),Pd功耗为950 mW,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为160 mV,Vr反向电压为12 V,Ir反向电流为240 uA,并且If正向电流为100mA,Vrm重复反向电压为12V,Ifsm正向浪涌电流为4A,trr反向恢复时间为2.2ns。
PMEG1030EJ,115是DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323F,包括530mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在10V电压DC反向电压Vr Max下工作,则数据表说明中显示了用于SOD-323F的供应商设备包,其提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,SOD-323F包装箱,其工作温度结范围为150°C(最大值)。此外,安装类型为表面安装,该器件为肖特基二极管类型,该器件具有3mA@10V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为3A(DC),电容Vr F为85pF@1V,1MHz。
PMEG1030EH+115,带有NXP制造的电路图。PMEG1030EH+115提供1321 ROHS封装,是二极管、整流器-单体的一部分。
PMEG1030EJ,带有NXP制造的EDA/CAD模型。PMEG1030EJ采用SOD323封装,是二极管、整流器-单体的一部分。