9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N485BTR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N485BTR参考价格0.32000美元。onsemi 1N485BTR包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35。您可以下载1N485BTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N485B_T50R，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@175V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max如果为1V@100mA，则该设备提供200V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有200mA电流平均整流Io，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N485B是DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，包装设计为在散装替代包装中工作，以及DO-204AH、DO-35轴向包装箱，其工作温度结范围为175°C（最大值）。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有25nA@175V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为200mA。
1N485A是DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7，包括100MA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在25nA@180V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AA、DO-7，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，速度为小信号=，该设备在DO-7供应商设备包中提供，该设备具有180V的直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1V@100mA。
