9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES1PD-M3/85A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1PD-M3/85A参考价格为0.47000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES1PD-M3/85A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA。您可以下载ES1PD-M3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES1PD-M3/84A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如ES1PD-M3/85A，单位重量设计为0.003739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作DO-220AA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-220AA（SMP）供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为920mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150°C；其最小工作温度范围是-50 C，Vf正向电压为920 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为30ns。
ES1PDHM3/84A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括200V Vr反向电压，它们设计为在920mV@1A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的直流反向电压Vr Max，提供920 mV等正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-220AA（SMP）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为eSMPR，该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有30ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为磁带和卷轴（TR），包装盒为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-50 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
ES1PDHM3/85A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，包装箱为DO-220AA，设备采用磁带和卷轴（TR）包装，设备具有25ns的反向恢复时间trr，系列为eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-220A（SMP），单位重量为0.000847 oz，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为920mV@1A。
