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PMEG45T15EPDZ,带有引脚细节,包括肖特基整流器产品,它们设计用于带卷(TR)封装,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供封装外壳功能,如3-SMD、扁平引线,技术设计用于硅,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作CFP15供应商设备包。此外,该配置为双公共阳极,该设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,该设备具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为100μa@45V,正向电压Vf Max If为580mV@15A,直流反向电压Vr Max为45V,电流平均整流Io为15A,反向恢复时间trr为20ns,电容Vr F为2200pF@1V,1MHz,工作温度结范围为150°C(最大值),Pd功耗为3.1W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为480 mV,Vr反向电压为45 V,Ir反向电流为30 uA,并且If正向电流为15A,Vrm重复反向电压为45V,Ifsm正向浪涌电流为210A,trr反向恢复时间为20ns 60ns。
PMEG45U10EPDZ带有用户指南,包括45 V Vrm重复反向电压,它们设计为在490 mV@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于45 V的直流反向电压Vr Max,提供了490 mV等正向电压特性,技术设计为在Si中工作,以及CFP15供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为34ns,该器件提供3.1 W Pd功耗,该器件具有Digi-ReelR交替封装,封装外壳为3-SMD,扁平引线,工作温度结范围为150°C(最大值),安装类型为表面安装,Ir反向电流为600 uA,Ifsm正向浪涌电流为180 a,如果正向电流为10A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为600μA@45V,电流平均整流Io为10A,电容Vr F为1170pF@1V,1MHz。
PMEG45U10EPDAZ带电路图,包括1170pF@1V,1MHz电容Vr F,它们设计用于10A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于20mA@10V,提供肖特基等二极管类型功能,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件也可用作3-SMD,扁平引线封装外壳。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供16ns反向恢复时间trr,设备速度快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为CFP15,电压DC反向Vr Max为45V,电压正向Vf Max If为490mV@10A。