9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS1P4LHM3/85A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS1P4LHM3/85A参考价格为0.53000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS1P4LHM3/85A封装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO220AA。您可以下载SS1P4LHM3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS1P4LHM3/84A是DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO220AA，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.000847盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-220AA包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-220AA（SMP）供应商设备包中提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@40V，电压正向Vf Max If为480mV@1A，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为130pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，Vf正向电压为0.53 V，Vrm重复反向电压为40 V，Ifsm正向浪涌电流为30 A。
SS1P4LHE3/85A是DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A DO220AA，包括480mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在40V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-220AA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为150μa@40V，电流平均整流Io为1.5A。
SS1P4LHE3/84A是二极管肖特基40V 1.5A DO220AA，包括1.5A电流平均整流Io，它们设计为在150μa@40V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，除了DO-220AA包装盒外，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为eSMPR，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为40V，正向电压Vf最大值为480mV@1A。
