9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT52M-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT52M-TAP参考价格为0.77000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT52M-TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 1KV 1.4A SOD57。您可以下载BYT52M-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BYT52M-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BYT52K-TR是DIODE AVLANCHE 800V 1.4A SOD57，其中包括快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司的包装，具有通孔等安装样式特征，包装箱设计用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1.4A，反向恢复时间trr为200ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，1 A时Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1.4 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为200 ns。
BYT52K-TAP是DIODE AVLANCHE 800V 1.4A SOD57，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.3V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压直流反向Vr Max，该800V提供了1.3V的正向电压特性，如1A时的1.3V，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为200ns，该设备在200ns恢复时间内提供，该设备具有产品快速恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度接合范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.4 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为5μA@800V，电流平均整流Io为1.4A，配置为单一。
BYT52M是VISHAY制造的二极管开关1KV 1.4A 2引脚外壳D-2。BYT52M采用SOD57封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管开关1KV 1.4A 2引脚外壳D-2。
