9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的US1DWF-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1DWF-7参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated US1DWF-7封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F。您可以下载US1DWF-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1D-TP是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括US1D系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（SMA），该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+150°C，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
US1D-M3/61T是DIODE 1A 200V 50NS DO-214AC，包括1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMA）的供应商设备包，其提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为50NS，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
US1DT/R，电路图由PANJIT制造。US1DT/R采用DO214AC封装，是IC芯片的一部分。
