9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMMD4148T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMMD4148T3G参考价格为0.43000美元。onsemi SMMD4148T3G包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123。您可以下载SMSD4148T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMMSD301T1G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123，包括MMSD301系列，设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表说明所示，用于提供SMD/SMT等安装类型功能的磁带和卷轴（TR），包装盒设计用于SOD-123，以及Si技术，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123，该设备为单配置，该设备具有小信号=速度，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@25V，电压正向Vf Max If为600mV@10mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~125°C，Pd功耗为225 mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为520 mV，Vr反向电压为30 V，Ir反向电流为200 nA，If正向电流为200 mA，Vrm重复反向电压为30V。
SMMSD4148T1G是DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-123中使用的供应商设备包，其提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作SOD-123封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为200mA（DC），而电容Vr F在0V、1MHz时为4pF。
SMMSD103T1G是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123，包括5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供二极管类型特征，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作SOD-123包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供50ns反向恢复时间trr，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOD-123，直流反向电压Vr最大值为250V，正向电压Vf最大值为1.25V@200mA。
