9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1MHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1MHE3_A/H参考价格为0.46000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1MHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC。您可以下载US1MHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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US1MHE3_A/H，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，其工作温度范围为-55 C至+150 C，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@1000V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为75 ns。
US1MHE3/5AT是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括1.7V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为75ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
US1MHE3/61T是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，该设备以75ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.7V@1A。
