9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMSD914T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMSD914T3G参考价格为0.18000美元。onsemi MMSD914T3G包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123。您可以下载MMSD914T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMSD914T1G是DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SOD-123封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOD-123，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@10mA，该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
MMSD914T3是DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOD-123，该SOD-123提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为4ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作SOD-123封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
MMSD914T1是DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123，包括4pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作SOD-123包装箱。此外，包装为切割胶带（CT），设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOD-123，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
