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1N5403-E3/54是DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD，包括1N54xx系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@300V，电压正向Vf Max If为1.2V@3A，电压直流反向Vr Max为300V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-50℃，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为300 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为200A。
1N5402-TP是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的直流反向电压Vr Max，提供单位重量功能，如0.038801盎司，供应商设备包设计为在DO-201AD中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可作为1N540系列使用。此外，该产品为标准回收整流器，该设备采用切割胶带（CT）替代包装包装，该设备具有DO-201AD，包装箱轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，最大浪涌电流为200A，它的最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
1N5403是DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD，包括30pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@300V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-55°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-201AD供应商设备包，电压DC反向Vr Max为300V，电压正向Vf Max If为1.2V@3A。
1N5402-TG1B，带EDA/CAD型号1N5402-TG 1B采用DO214封装，是IC芯片的一部分。
