9icnet为您提供由EIC半导体公司设计和生产的MURA110，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURA110参考价格为0.85000美元。EIC半导体公司MURA110包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A SMA。您可以下载MURA110英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MURA105T3G是DIODE GEN PURP 50V 2A SMA，包括MURA105系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA，该设备为单一配置，设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μa@50V，电压正向Vf Max If为875mV@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为30 ns。
MUR880EG是DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.8V@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的直流反向电压Vr Max，提供1.8 V的正向电压特性，单位重量设计为0.211644盎司，以及to-220AC供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列是SWITCHMODE？，该设备提供100ns反向恢复时间trr，该设备具有100ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为管，包装箱为TO-220-2，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为16 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为25μA@800V，电流平均整流Io为8A，配置为单一。
MURA105T3是DIODE GEN PURP 50V 2A SMA，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-214AC SMA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的SMA，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为875mV@1A。
MUR890E带有ON制造的EDA/CAD模型。MUR890A采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
