9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的GL1B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GL1B参考价格为0.03430美元。Diotec Semiconductor GL1B封装/规格：DIODE STD DO-213AA 100V 1A。您可以下载GL1B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GL19BF35CDT带有引脚细节，包括ATSMGL系列，它们设计用于MHz晶体类型，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供0.142“（3.60mm）等高度功能，包装箱设计用于HC49/US，以及19.6608MHz频率，该设备也可作为基本工作模式，其工作温度范围为-20°C~70°C，该设备为表面安装安装型，该设备具有0.461“长x 0.197”宽（11.70mm x 5.00mm）尺寸尺寸为，负载电容为18pF，ESR等效串联电阻为40欧姆，频率稳定性为±50ppm，频率容差为±30ppm。
GL19BF35CET带用户指南，包括MHz晶体类型，设计用于0.461“L x 0.197”W（11.70mm x 5.00mm）尺寸尺寸的操作，该系列显示在ATSMGL中使用的数据表注释中，该ATSMGL提供磁带和卷轴（TR）等包装功能，包装箱设计用于HC49/US，其工作温度范围为-20°C ~ 70°C，该设备也可以用作基本操作模式。此外，安装类型为表面安装，设备提供20pF负载电容，设备高度为0.142“（3.60mm），频率公差为±30ppm，频率稳定性为±50ppm，频率为19.6608MHz，ESR等效串联电阻为40欧姆。
GL19BF35IDT带有电路图，包括40欧姆ESR等效串联电阻，它们设计用于19.6608MHz频率下运行。数据表注释中显示了在±50ppm下使用的频率稳定性，提供了±30ppm等频率容差特性，高度设计为0.142“（3.60mm），以及18pF负载电容，该设备也可以用作表面安装型。此外，操作模式为基本模式，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备的包装箱为HC49/US，包装为胶带和卷筒（TR），系列为ATSMGL，尺寸尺寸为0.461“L x 0.197”W（11.70mm x 5.00mm），类型为MHz晶体。
GL19BF35IET，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于表面安装安装型，类型如数据表注释所示，用于MHz晶体，提供HC49/US等封装外壳功能，工作模式设计用于基本型和ATSMGL系列，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，ESR等效串联电阻为40欧姆，该器件采用20pF负载电容，该器件的频率为19.6608MHz，尺寸尺寸为0.461“L x 0.197”W（11.70mm x 5.00mm），高度为0.142“（3.60mm），频率稳定性为±50ppm，频率容差为±30ppm。
