9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4151W-E3-08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4151W-E3-08参考价格为0.27000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4151W-E3-08封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123。您可以下载1N4151W-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如1N4151W-E3-08价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
1N4151TAP是DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35,包括磁带盒(TB)封装,设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备封装功能,如DO-35,速度设计用于小信号=,以及标准二极管类型,该器件也可以用作50nA@50V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1V@50mA,该器件提供50V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有150mA的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为4ns,电容Vr F为2pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N4151TR是DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35,包括1V@50mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下工作,则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包,该DO-35提供速度特性,如小信号=、反向恢复时间trr设计为在4ns内工作,该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳,其工作温度结范围为175°C(最大值),该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为50nA@50V,电流平均整流Io为150mA,电容Vr F为2pF@0V,1MHz。
1N4151-TR,带有VISHAY制造的电路图。是二极管、整流器-单体的一部分。