9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BAS116235，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS116235参考价格0.26000美元。Nexperia USA Inc.BAS116235包装/规格：二极管GEN PURP 75V 215MA TO236AB。您可以下载BAS116235英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS116215是DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SOT-23（to-236AB），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5nA@75V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供75V电压直流反向Vr Max，该器件具有215mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
BAS116是DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在85V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOT-23-3中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在3μs内工作，除了切割胶带（CT）封装外，该器件还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5nA@75V，电流平均整流Io为215mA（DC），而电容Vr F在0V、1MHz时为2pF。
BAS116 E6327，带有INFINEON制造的电路图。BAS116 E6327采用SOT-23封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
