9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的S1DB-13-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1DB-13-F参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated S1DB-13-F封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A SMB。您可以下载S1DB-13-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1DA-E3/61T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-214AC、SMA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMA），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型，该器件还可以用作3μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1μs，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1DB-13是DIODE GEN PURP 200V 1A SMB，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SMB的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为3μs，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
S1DB是由台湾半导体制造的“整流器1A”。S1DB采用SMA封装，是二极管、整流器阵列的一部分，并支持“整流器1A、整流器1A、200V、Glass Pass SMB Rect”。
