9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的US1MFL-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1MFL-TP参考价格为0.35000美元。Micro Commercial Co US1MFL-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC。您可以下载US1MFL-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1MFA是DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FA，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装样式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及SOD-123W封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
US1ME-TP是DIODE GEN PURP 1KV 1A SMAE，包括1.7V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMAE中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计为在US1M中工作，以及75ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
US1MF带有SK制造的电路图。US1MF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
US1M-F，带有LITEON制造的EDA/CAD模型。US1M-F采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
