9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S2G-E3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2G-E3/52T参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S2G-E3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA。您可以下载S2G-E3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S2GA-13-F是DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA，包括S2GA系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.002258盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA，该设备为单一配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为50A。
S2G-E3/1是DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA，包括1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在2μs内工作，除了散装替代包装包装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
S2GA-13是DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA，包括20pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的SMA，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A。
