9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP10C-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP10C-E3/54参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP10C-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL。您可以下载EGP10C-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP10C是DIODE GEN PURP 150V 1A DO41，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，数据表注释中显示了用于EGP10C_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.008642盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，正向电压Vf Max If为950mV@1A，直流反向电压Vr Max为150V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，工作温度结范围为-65°C~150°C，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
EGP10B-M3/73，带用户指南，包括950mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为22pF@4V，1MHz。
EGP10B-TP带电路图，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在5μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有DO-41供应商设备包，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
