9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS1P3LHM3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS1P3LHM3/84A参考价格为0.53000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS1P3LHM3/84A封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO220AA。您可以下载SS1P3LHM3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS1P3L-E3/85A是DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-220AA，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-220A（SMP），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为200μA@30V，该器件提供450mV@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有30V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.5A，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SS1P3LHE3/84A是DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A DO220AA，包括450mV@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在30V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于eSMPR以及磁带和卷盘（TR）包装，该器件也可用作DO-220AA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为200μa@30V，电流平均整流Io为1.5A。
SS1P3LHE3/85A是二极管肖特基30V 1.5A DO220AA，包括1.5A电流平均整流Io，它们设计为在200μa@30V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，除了DO-220AA包装盒外，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为eSMPR，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为30V，正向电压Vf最大值为450mV@1A。
