9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SD103B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SD103B-TAP参考价格为0.37000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SD103B-TAP封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V SGL DO35。您可以下载SD103B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SD103B是DIODE SCHOTTKY 30V 350MA DO35，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及肖特基二极管类型，该器件还可以用作5μA@220V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为600mV@200mA，该器件提供30V电压DC反向Vr Max，该器件具有350mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为10ns，电容Vr F为50pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为125°C（最大值）。
SD103B-F是DIODE SCHOTTKY 30V 350MA DO35，包括600mV@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在30V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为10ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为125°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为5μa@220V，电流平均整流Io为350mA（DC），电容Vr F为50pF@0V，1MHz。
SD103B-T是二极管肖特基30V 350MA DO35，包括50pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于350MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@20V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为125°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT），该设备以10ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为600mV@200mA。
