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1N4007-TP是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41,包括1N40系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于切割胶带(CT)替代包装,提供单位重量功能,如0.010935盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱,该装置也可以用作通孔安装型。此外,供应商设备包为DO-41,该设备为单配置,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@1000V,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,电压直流反向Vr Max为1000V(1kV),电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为2μs,电容Vr F为15pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为1.0 V,Vr反向电压为1000 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1A,最大浪涌电流为30A,恢复时间为2us。
1N4007T-G是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41,包括1000 V Vr反向电压,它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V(1KV)的电压直流反向Vr Max,提供1.1 V正向电压特性,单位重量设计为0.010935盎司,以及DO-41供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,该系列为1N4007,该装置在标准回收整流器产品中提供,该装置具有切割胶带(CT)交替包装,包装箱为DO-204AL、DO-41,轴向,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装类型为通孔,安装类型是通孔,最大浪涌电流为30A,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μA@1000V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为15pF@4V,1MHz。
1N4007W,电路图由东芝制造。1N4007W采用SOD123封装,是二极管、整流器-单体的一部分。