9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的1N5554C.TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5554C.TR参考价格$6.28000。Semtech Corporation 1N5554C.TR包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL。您可以下载1N5554C.TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5553US是DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于SQ-MELF，B，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作B、SQ-MELF供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电压正向Vf Max If为1.2V@9A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为60 uA，If正向电流为5 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为2 us。
1N5554是DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL，包括1 kV Vr反向电压，它们设计为在1.2V@9A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供Vf正向电压功能，如1 V，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）下工作，以及2μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作2 us恢复时间。此外，该产品为标准回收整流器，该装置为散装包装，该装置具有B轴包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，工作温度连接范围为-65℃至175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最低工作温度范围是-65℃，最大浪涌电流为150 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为60 uA，如果正向电流为5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@1000V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
1N5553是DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL，包括单配置，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于5 a，以及60 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为150 A，最小工作温度范围是-65℃，装置有一个安装型通孔，安装方式为轴向，工作温度接合范围为-65℃~175℃，工作温度范围在-65℃至+175℃，包装箱为B，轴向，包装为散装，产品为标准恢复整流器，恢复时间为2 us，反向恢复时间trr为2μs，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），Vf正向电压为1 V，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.2V@9A，Vr反向电压为800V。
1N5552US是DIODE GEN PURP 600V 3A D5B，包括表面安装安装型，设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供SQ-MELF、B等封装外壳功能，安装型设计用于SMD/SMT，以及D-5B供应商设备封装，该器件也可以用作散装封装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件提供600V电压DC反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，600V时电流反向泄漏Vr为1μa，9A时电压正向Vf Max If为1.2V。
