9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS1FH10-M3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS1FH10-M3/H参考价格为0.49000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS1FH10-M3/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB。您可以下载SS1FH10-M3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS1FH10HM3/H，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于DO-219AB，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-219AB（SMF），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为800mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为70pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为720 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为100V，Ifsm正向浪涌电流为40A。
SS1FH10HM3/I带有用户指南，包括800mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在100V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-219AB（SMF）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件也可以用作DO-219AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为70pF@4V，1MHz。
SS1F4-M3/I带电路图，包括85pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于150μa@40V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，其工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可用作DO-219AB包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-219AB（SMF）供应商设备包装，电压DC反向Vr最大值为40V，电压正向Vf最大值为520mV@1A。
