9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的RS2JAHR3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS2JAHR3G参考价格为0.52000美元。台湾半导体公司RS2JAHR3G封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC。您可以下载RS2JAHR3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS2J-13-F是DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB，包括RS2J系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003280盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMB，该设备为单一配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.3V@1.5A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1.5A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为250ns。
RS2J-13是DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB，包括1.3V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SMB的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为250ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
RS2J是2.0 Amp 600 Volt 150ns整流器，包括单配置，它们设计为在2 a条件下工作。如果正向电流、Ir反向电流如数据表注释所示，在5 uA条件下使用，其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在50 a条件下运行，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为DO-214AA-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有部件别名R4，产品为快速恢复整流器，恢复时间为250 ns，单位重量为0.003386 oz，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为600 V。
