9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV202-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV202-GS18参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV202-GS18封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80。您可以下载BAV202-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV201-GS08是DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于SOD-80变体的包装盒，该变体提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SOD-80 QuadroMELF中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@100V，器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有100V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（Max）。
BAV201-GS18是DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-80 QuadroMELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度结范围为150°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@100V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz。
BAV202-GS08是DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80，包括1.5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于250MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为150°C（最大值），该装置也可用作SOD-80变型包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SOD-80 QuadroMELF，电压直流反向Vr最大值为150V，电压正向Vf最大值为1V@100mA。
