9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1DHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1DHE3_A/H参考价格为0.45000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1DHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载S1DHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1DFL带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了SOD-123F中使用的包装盒，该包装盒提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于SOD-123F，以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C ~ 150°C。
S1DHE3/5AT是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1DHE3/61T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括12pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
