STTH3R02RL采用ST新的200V平面Pt掺杂技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。
该装置封装在DO-201AD、DO-15和SMC中,用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。
特色
- Verylow传导损耗
- 可忽略的开关损耗
- 低速前进和低速后退
- 高温
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 2.09190 | 2.09190 |
10+ | 1.71545 | 17.15459 |
30+ | 1.55413 | 46.62414 |
100+ | 1.35288 | 135.28800 |
380+ | 1.26323 | 480.02892 |
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STTH3R02RL采用ST新的200V平面Pt掺杂技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。
该装置封装在DO-201AD、DO-15和SMC中,用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。
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