9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBD914-HE3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBD914-HE3-18参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBD914-HE3-18封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23。您可以下载MMBD914-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBD914-7-F是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23-2，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件还可以用作1μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供75V电压直流反向Vr Max，该器件具有200mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
MMBD914-7是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOT-23-3的供应商设备包，该SOT-23-1提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在4ns内工作，以及切割带（CT）封装，该器件也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@75V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
MMBD914-7-G，电路图由DIODES/FAIRCHILD制造。MMBD914-7-G采用SOT封装，是IC芯片的一部分。
