9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BAS20LT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS20LT3G参考价格为0.13000美元。onsemi BAS20LT3G包装/规格：DIODE GP 200V 200MA SOT23-3。您可以下载BAS20LT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS20LT1G是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SOT-23-2（to-236），速度设计用于小信号=，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100nA@150V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供200V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS20LT1是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOT-23-3（to-236），该SOT-23-1提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为50ns，以及切割带（CT）封装，该器件也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
BAS20HT1G是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323，包括5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-76、SOD-323封装外壳。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件以50ns反向恢复时间trr提供，该器件具有小信号=速度，供应商器件封装为SOD-323，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
