9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-1N1186，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-1N1186参考价格为8.94000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-1N1186封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB。您可以下载VS-1N1186英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如VS-1N1186价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
VS-1N1185A是DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，零件别名如数据表注释所示，用于1N1185A，提供单位重量功能，例如0.599657盎司，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，供应商设备包为DO-203AB，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2.5mA@150V，电压正向Vf Max If为1.3V@126A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为40A，它的工作温度结范围为-65°C~200°C，最大工作温度范围为+190°C，最小工作温度范围是-65 C，126 A时Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为2500 uA，If正向电流为40 A，最大浪涌电流为800 A。
VS-1N1185R是DIODE GEN PURP 150V 35A DO203AB，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在110 a电压正向Vf Max时以1.7 V运行。如果数据表注释中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，该150V提供了110 a时1.7 V的正向电压特性，单位重量设计为0.599657盎司，以及DO-203AB供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品为标准回收整流器，该设备以1N1185R零件别名提供，该设备具有散装包装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~190°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为400 A，其最大工作温度范围为+190 C，Ir反向电流为10000 uA，如果正向电流为35 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10mA@150V，电流平均整流Io为35A，配置为单一。
VS-1N1185是DIODE GEN PURP 150V 35A DO203AB，包括单一配置，它们设计用于35A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10mA@150V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于35 a，以及10000 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+190℃。此外，最大浪涌电流为400 A，最小工作温度范围是-65℃，该设备具有底座，安装类型为螺柱安装，安装类型是螺柱，工作温度接合范围为-65℃~190℃，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，包装为散装，零件别名为1N1185，产品为标准恢复整流器，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-203AB，单位重量为0.599657 oz，110 A时Vf正向电压为1.7 V，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.7V@110A，Vr反向电压为150 V。
