9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的US1M-HF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1M-HF参考价格为0.37000美元。Comchip Technology US1M-HF封装/规格：整流器ULTRA FAST RECOVERY 10。您可以下载US1M-HF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1M-TP是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括US1M系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（SMA），该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.4V@2A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为100ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+150°C，Vr反向电压为1000V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为100ns。
US1M-M3/61T是DIODE 1A 1000V 75NS DO-214AC，包括1.7V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMA）的供应商设备包，其提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为75NS，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
US1M-NL，电路图由FAIRCHILD制造。US1M-NL采用DO-214AC（SMA）封装，是IC芯片的一部分。
US1M-R1-10001，PANJIT制造的EDA/CAD模型。US1M-R1-10001采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
