9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4151WS-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4151WS-E3-18参考价格为0.26000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4151WS-E3-18封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323。您可以下载1N4151WS-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4151WS-G3-08，带引脚细节，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于SC-76、SOD-323包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOD-323，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作50nA@50V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@50mA，该器件提供50V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有150mA的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为4ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
1N4151WS-G3-18，带用户指南，包括1V@50mA电压正向Vf最大值。如果设计为在50V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了SOD-323中使用的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为在4ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）交替包装，该器件也可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50nA@50V，电流平均整流Io为150mA。
带电路图的1N4151WS-HE3-08，包括150mA电流平均整流Io，它们设计为在50nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及SC-76、SOD-323封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，设备以小信号=速度提供，设备具有供应商设备包的SOD-323，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@50mA。
1N4151WS-HE3-18，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供供应商设备封装功能，如SOD-323，速度设计用于小信号=，以及SC-76、SOD-323封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，直流反向电压Vr最大值为50V，该器件提供50nA@50V电流反向泄漏Vr，该器件具有4ns的反向恢复时间trr，正向电压Vf最大值If为1V@50mA，电流平均整流Io为150mA。
