STTH3R02QRL采用ST新的200V平面Pt掺杂技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。
该装置封装在DO-201AD、DO-15和SMC中,用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。
特色
- Verylow传导损耗
- 可忽略的开关损耗
- 低速前进和低速后退
- 高温
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.07003 | 5.07003 |
10+ | 4.33849 | 43.38497 |
100+ | 3.23902 | 323.90250 |
500+ | 2.54501 | 1272.50500 |
1000+ | 1.96659 | 1966.59200 |
2000+ | 1.84042 | 3680.84200 |
6000+ | 1.84042 | 11042.52600 |
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STTH3R02QRL采用ST新的200V平面Pt掺杂技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。
该装置封装在DO-201AD、DO-15和SMC中,用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。
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