9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-1N1200RA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-1N1200RA参考价格为5.06000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-1N1200RA封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA。您可以下载VS-1N1200RA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-1N1200A是DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，零件别名如数据表注释所示，用于1N1200A，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，供应商设备包为DO-203AA，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2.5mA@100V，电压正向Vf Max If为1.35V@12A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为12A，它的工作温度结范围为-65°C~200°C，最大工作温度范围为+200°C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.35 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为2500 uA，If正向电流为12 A，最大浪涌电流为240 A。
VS-1N1199RA是DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA，包括50 V Vr反向电压，它们设计为在1.35V@12A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了在50V中使用的电压DC反向Vr Max，其提供了1.35 V的正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-203AA供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品为标准回收整流器，该设备以1N1199RA零件别名提供，该设备具有散装包装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~200°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为240 A，其最大工作温度范围为+200 C，Ir反向电流为3000 uA，如果正向电流为12 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为3mA@50V，电流平均整流电流Io为12A，配置为单一。
VS-1N1199A是DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA，包括单一配置，它们设计用于12A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于3mA@50V，提供二极管类型的功能，如标准，如果正向电流设计用于12 a，以及3000 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+200℃。此外，最大浪涌电流为240 A，最小工作温度范围是-65℃，该设备具有底座，安装类型为螺柱安装，安装方式为通孔，工作温度连接范围为-65℃~200℃，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，包装为散装，零件别名为1N1199A，产品为标准恢复整流器，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-203AA，单位重量为0.246918oz，Vf正向电压为1.35V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.35V@12A，Vr反向电压为50V。
