9icnet为您提供由EIC半导体公司设计和生产的BY255，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY255价格参考0.25000美元。EIC半导体公司BY255包装/规格：STD 3A，外壳类型：DO-201AD。您可以下载BY255英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BY254P-E3/54是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.038801盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于DO-201AD，轴向，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为3000ns。
BY254P-E3/73是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向电压Vr Max，该800V提供1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.038801盎司，以及DO-201AD供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为3μs，该设备以3000 ns恢复时间提供，该设备具有产品标准恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为150 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@800V，电流平均整流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
BY254GPHE3/54是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD，包括40pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-65°C~175°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTFIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，电压DC反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为1.1V@3A。
