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TRS8E65F,S1Q

  • 描述:二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 8A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2L 工作结温: 175摄氏度(最高)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.70621 12.70621
  • 库存: 10
  • 单价: ¥12.70622
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.71
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 通孔
  • 工作结温 175摄氏度(最高)
  • 二极管种类 碳化硅肖特基
  • 速度 无恢复时间>500毫安(Io)
  • 反向恢复时长 (trr) 0纳秒
  • 包装/外壳 至220-2
  • 最大直流反向电压 (Vr) 650 V
  • 整流平均值 (Io) 8A (DC)
  • 供应商设备包装 TO-220-2L
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 反向漏电流 @ 直流反向电压 40 A @ 650 V
  • 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.6伏@8安
  • 电容@Vr、法数 650V、1MHz时为28皮法
  • 特点 -

TRS8E65F,S1Q 产品详情

功率因数校正太阳能逆变器不间断电源DC-DC转换器
(1) (2)正向直流电流IF(DC)=8A重复峰值反向电压VRRM=650V
4.绝对最大额定值(注)(除非另有规定,=25)

特性重复峰值反向电压正向直流电流非重复峰值正向浪涌电流结温存储温度安装扭矩符号VRRM IF(DC)IFSM Tj Tstg TOR注释1注释额定值0.6 Nm单位V A

即使工作条件(即工作温度/电流/电压等)在绝对最大额定值范围内,在重载条件下连续使用(例如,施加高温/电流/温度以及温度的显著变化等)也可能导致该产品的可靠性显著降低。请在审查东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降额概念和方法”)和单个可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后设计适当的可靠性。注1:f=50Hz

特性热阻(连接点到外壳)热阻(连接到环境)符号Rth(j-c)Rth(j-a)测试条件最大值2.35 89单位/W

特性峰值正向电压重复峰值反向电流结电容符号IRRM(2)Cj测试条件4 A(脉冲测量)8 A(脉冲测定)VRRM 300 V(脉冲测定值)VRRM 650 V(脉冲测量值)=1 MHz Min Typ。最大pF�A单元V

注:批号下的一行表示产品标签。[[G]]/RoHS兼容或[[G]]/RoHS[[Pb]请联系东芝销售代表,了解有关产品RoHS兼容性等环境问题的详细信息。RoHS是2011年6月8日欧洲议会和理事会关于限制在电气和电子设备中使用某些有害物质的指令2011/65/EU。

(1) 绝对最大额定值是指在操作过程中不得超过的额定值,即使是瞬间。以下是使用该设备设计电路板时推荐的一般降额方法。VRRM:VRRM的温度系数为0.1%/。在设计将在低温环境中运行的电路板时,应考虑该系数。IF(DC):我们建议最坏情况下的电流不大于IF(直流)绝对最大额定值的80%,最坏情况的结温度Tj保持在140以下。IFSM:该额定值规定了峰值非重复正向浪涌电流。这仅适用于在设备寿命期间很少发生的异常操作。Tj:(2)根据该额定值降低设备参数,以确保高可靠性。我们建议将器件的结温度(Tj)保持在140℃以下。有关其他设计考虑,请参阅整流器数据手册或东芝半导体网站。

除非另有说明,否则上述特性曲线仅供参考,不通过生产试验予以保证。


TRS8E65F,S1Q所属分类:单整流二极管,TRS8E65F,S1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TRS8E65F,S1Q价格参考¥12.706219,你可以下载 TRS8E65F,S1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TRS8E65F,S1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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