9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N3893R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3893R参考价格为11.88000美元。GeneSiC半导体1N3893R封装/规格：DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4。您可以下载1N3893R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3893是DIODE GEN PURP 600V 12A DO4，包括1N3893系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4螺柱包装箱，该设备也可用作机箱、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25μa@50V，正向电压Vf Max If为1.4V@12A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为12A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，Vf正向电压为1.4V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为25uA，If正向电流为12A，最大浪涌电流为90A，恢复时间为200ns。
1N3893A是由Microsemi制造的整流器快速整流器（100-500ns）。1N3893A采用DO-4封装，是二极管、整流器阵列的一部分，支持整流器快速整流器（100-500ns）、二极管。
1N3893AR是由Microsemi制造的整流器快速整流器（100-500ns）。1N3893AR采用DO-4封装，是二极管、整流器阵列的一部分，支持整流器快速整流器（100-500ns）、二极管。
