9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BY296,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BY296参考价格为0.08670美元。Diotec Semiconductor BY296封装/规格:DIODE FR DO-201 100V 2A。您可以下载BY296英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BY268TR是DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57,包括快速恢复整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装包装一起使用,单位重量如数据表注释所示,用于0.013016盎司的包装,具有通孔等安装方式特征,包装箱设计为在SOD-57、轴向以及通孔安装类型中工作,该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为2μa@1400V,电压正向Vf Max If为1.25V@400mA,电压直流反向Vr Max为1400V(1.4kV),电流平均整流Io为800mA,反向恢复时间trr为400ns,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为1.25 V(0.4 A),Vr反向电压为1400 V,Ir反向电流为2 uA,If正向电流为0.8 A,最大浪涌电流为20 A,恢复时间为400 ns。
BY268TAP是DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57,包括1400 V Vr反向电压,它们设计为在1.25V@400mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1400V(1.4KV)的电压直流反向Vr Max,其提供了0.4A时1.25 V的正向电压特性,单位重量设计为0.013016盎司,除SOD-57供应商设备包外,该设备还可用于快速恢复=20mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为400ns,该设备以400ns恢复时间提供,该设备具有产品快速恢复整流器,包装为磁带盒(TB)交替包装,包装箱为SOD-57,轴向,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为20 A,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为2 uA,If正向电流为0.8 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为2μA@1400V,电流平均整流Io为800mA,配置为单一。
BY269TR是二极管AVLANCH 1.6KV 800MA SOD57,包括单一配置,它们设计用于800MA电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于2μa@1600V,提供二极管类型功能,如雪崩,如果正向电流设计用于0.8A,以及2 uA Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+175℃。此外,最大浪涌电流为20 A,最小工作温度范围是-55℃,装置有一个安装型通孔,安装类型为通孔,其工作温度连接范围为-55℃~175℃,封装外壳为SOD-57,轴向,包装为切割胶带(CT)交替包装,产品为快速恢复整流器,恢复时间为400ns,反向恢复时间trr为400ns;速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为SOD-57,单位重量为0.013016盎司,0.4A时Vf正向电压为1.25V,电压DC反向Vr Max为1600V(1.6kV),电压正向Vf Max If为1.25V@400mA,Vr反向电压为1600V。
BY269TAP是DIODE AVLANCHE 1.6KV 2A SOD57,包括通孔安装型,设计用于通孔安装类型。数据表说明中显示了用于磁带盒(TB)的包装,提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io)。包装箱设计用于SOD-57、轴向以及SOD-57供应商设备包,该设备也可以用作单一配置。此外,该产品是快速恢复整流器,该器件为雪崩二极管型,该器件具有400纳秒的恢复时间,反向恢复时间trr为2μs,电流反向泄漏Vr为2µa@1400V,平均整流电流Io为2A,最大浪涌电流为20 a,Ir反向电流为2 uA,电压直流反向Vr最大值为1600V(1.6kV),Vr反向电压为1600 V,其工作温度结范围为140°C(最大),电压正向Vf Max If为1.6V@3A,Vf正向电压为1.25 V@0.4 A,如果正向电流为0.8 A,单位重量为0.013016 oz,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C。