9icnet为您提供由其他公司设计和生产的US1MF，在9icnet现场销售，并可通过原厂和代理商等渠道购买。美国1MF价格参考值0.03550美元。其他US1MF封装/规格：高效SMAF 1KV 1A。您可以下载US1MF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的东西，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如1MF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
US1M-E3/61T是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括US1x系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如US1M-E3/3AT，单位重量设计为0.003739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
US1ME-TP是DIODE GEN PURP 1KV 1A SMAE，包括1.7V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMAE中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计为在US1M中工作，以及75ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
US1M-E3/61，带有VISHAY制造的电路图。US1M-E3/61采用SMA封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
